A01班大矢グループとA03班福島グループは共同で、Fe/MgO/p-Ge/Ge多層膜を電極としGeをチャネルとした二端子素子を作製し、定電圧下において、印加された磁場の履歴を記憶でき、それを巨大な抵抗変化として読み出せるメモリ（メモリスタ）を実現しました。最大で32,900％の巨大な磁気抵抗比を実現しました。抵抗スイッチにはFe層からの磁気近接効果によるMg欠損中の軌道分裂が関係しているものと考えられます（以下プレスリリース記事参照）。

本成果はAdvanced Functional Materials(Title: Giant memory function based on the magnetic field history of resistive switching under a constant bias voltage) に掲載され、東京大学よりプレスリリース(磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現 ―磁場でも制御可能なメモリスタの開拓―）されました。

東京大学、産業技術総合研究所、広島大学、海洋研究開発機構による共同研究成果です。